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LED驱动的高压MOS管2N65芯片
2013-02-27 17:18
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 2N65功率MOS场效应管采用先进的高压DMOS工艺技术。这种先进工艺使器件具有优良的特性,如极快的开关速度,极低栅电荷,小化的导通电阻以及极强的雪崩击穿特性。这种器件非常适合于开关电源, DC/DC转换器,PWM马达控制和桥式驱动电路等。

产品参数:
2A,650V, RDS(on)=3.8Ω@Vgs=10V

极低栅电荷,典型9nC

极低反向转换电容;典型5pF

快速开关能力

增强的dV/di能力

雪崩击穿测试

封装型式:TO-220,TO-220F,TO-251,TO-252 ·

大结温 150 ℃


主要产品领域:LED灯,节能灯 个人电脑电源辅助系统 电视机,液晶电视和手机,MP3/PDA 数码相机,DVD,机顶盒,交换机 传真机,打印机 节能灯专用500V场效应管,CFL电源驱动MOS管。
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